SMBT3906DW1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SMBT3906DW1

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: A2*

 Аналоги (замена) для SMBT3906DW1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SMBT3906DW1 даташит

 ..1. Size:126K  onsemi
mbt3906dw1 smbt3906dw1.pdfpdf_icon

SMBT3906DW1

MBT3906DW1, SMBT3906DW1 Dual General Purpose Transistor The MBT3906DW1 device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general http //onsemi.com purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount applicat

 0.1. Size:130K  onsemi
mbt3906dw1t1g smbt3906dw1t1g.pdfpdf_icon

SMBT3906DW1

MBT3906DW1T1G, SMBT3906DW1T1G Dual General Purpose Transistor The MBT3906DW1T1G device is a spin-off of our popular SOT-23/SOT-323 three-leaded device. It is designed for general http //onsemi.com purpose amplifier applications and is housed in the SOT-363 six-leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface mount

 6.1. Size:178K  siemens
smbt3906.pdfpdf_icon

SMBT3906DW1

PNP Silicon Switching Transistor SMBT 3906 High DC current gain 0.1 mA to 100 mA Low collector-emitter saturation voltage Complementary type SMBT 3904 (NPN) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1) (tape and reel) 1 2 3 SMBT 3906 s2A Q68000-A4417 B E C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCE0 40 V Collector-base voltage VCB0

 6.2. Size:31K  siemens
smbt3906 s2a sot363.pdfpdf_icon

SMBT3906DW1

SMBT 3906S PNP Silicon Switching Transistor Array 4 High DC current gain 0.1mA to 100mA 5 Low collector-emitter saturation voltage 6 Two ( galvanic) internal isolated Transistors with high matching in one package Complementary type SMBT 3904S (NPN) 3 2 VPS05604 1 Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package SMBT 3906S s2A Q62702-A1202 1/4=E1/E2 2/5=B1/B

Другие транзисторы: PN2907ATF, PN2907ATFR, PZT751T1, SBC817-16L, SBC817-25L, SBC817-40L, SBC847BPDXV6, SMBT3904DW1, D667, SMMBT2222AL, SMMBT2222AWT1G, SMMBT2907AL, SMMBT3904L, SMMBT3904TT1G, SMMBT3904WT1G, SMMBT3906L, SMMBT3906WT1G