TIP115G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP115G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIP115G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP115G даташит

 ..1. Size:307K  onsemi
 tip110 tip110g tip111 tip111g tip112 tip112g tip115 tip115g tip116 tip116g tip117 tip117g.pdf pdf_icon

TIP115G

TIP110, TIP111, TIP112 (NPN); TIP115, TIP116, TIP117 (PNP) Plastic Medium-Power Complementary Silicon www.onsemi.com Transistors DARLINGTON Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON Features POWER TRANSISTORS High DC Current Gain - hFE = 2500 (Typ) @ IC 60-80-100 VOLTS, 50 WATTS = 1.0 Adc Collector-Emitt

 8.1. Size:243K  st
 tip110 tip112 tip115 tip117.pdf pdf_icon

TIP115G

TIP110/112 TIP115/117 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES MONOLITHIC DARLINGTON CONFIGURATION INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE APPLICATIONS 3 2 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 1 EQUIPMENT TO-220 DESCRIPTION The TIP110 and TIP112 are silicon Epitaxial-Base NPN

 8.2. Size:61K  samsung
 tip115.pdf pdf_icon

TIP115G

PNP EPITAXIAL TIP115/116/117 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR HIGH DC CURRENT GAIN TO-220 MIN h =1000 @ V = -4V, I = -1A FE CE C LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE Complementary to TIP110/111/112 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector Emitter Voltage TIP115 VCBO -60

 8.3. Size:373K  mcc
 tip115 tip116 tip117 to-220.pdf pdf_icon

TIP115G

MCC TIP115 Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components TIP116 CA 91311 Phone (818) 701-4933 TIP117 Fax (818) 701-4939 Features High DC Current Gain hFE=1000 @ VCE=4.0V, IC=1.0A(Min.) Low Collector-Emitter Saturation Voltage PNP Epitaxial Complementary to TIP110/111/112 Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) ("

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: SS8550BBU, SS8550CBU, SS8550CTA, SS8550DBU, SS8550DTA, TIP110G, TIP111G, TIP112G, 2N3906, TIP116G, TIP117G, TIP29AG, TIP29BG, TIP29CG, TIP29G, TIP30AG, TIP30BG