Справочник транзисторов. TT2178

 

Биполярный транзистор TT2178 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: TT2178
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO3PMLH

 Аналоги (замена) для TT2178

 

 

TT2178 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1594K  sanyo
tt2188 tt2146 tt2178 tt2158.pdf

TT2178
TT2178

2003Sanyo Sales ToolSanyo Semiconductor.SPS/ADAPTOR/CHARGERDSC/PDA/B/L and LCD MonitorNB/MBWLANSPS/ADAPTOR/CHARGER10KK/5KK/5KK/MBLOCK BIP H/DLA5648 TT2188/46/94/48/58MAIN SW(SPS)TM3060B/64B/68GLA5645 A2099/C5888L5038 K2624/5/8LSMAIN LA5614M K2678LS/3491SW(ADP/CHA)

 9.1. Size:41K  sanyo
tt2170ls.pdf

TT2178
TT2178

Ordering number : ENN7670TT2170LSNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2170LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V).2079D High reliability(Adoption of HVP process).[TT2170LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.5 On-chip damper diode. 2.83.20.91.

 9.2. Size:33K  sanyo
tt2176.pdf

TT2178
TT2178

Ordering number : ENN7535A TT2176NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2176Switching Regulator ApplicationsFeatures High breakdown voltage, High reliability. High-speed switching. Wide ASO. Adoption of MBIT process.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 500 VCollector

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top