Биполярный транзистор TT2178 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TT2178
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3PMLH
TT2178 Datasheet (PDF)
tt2188 tt2146 tt2178 tt2158.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2003Sanyo Sales ToolSanyo Semiconductor.SPS/ADAPTOR/CHARGERDSC/PDA/B/L and LCD MonitorNB/MBWLANSPS/ADAPTOR/CHARGER10KK/5KK/5KK/MBLOCK BIP H/DLA5648 TT2188/46/94/48/58MAIN SW(SPS)TM3060B/64B/68GLA5645 A2099/C5888L5038 K2624/5/8LSMAIN LA5614M K2678LS/3491SW(ADP/CHA)
tt2170ls.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Ordering number : ENN7670TT2170LSNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2170LSColor TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V).2079D High reliability(Adoption of HVP process).[TT2170LS] Adoption of MBIT process.10.0 4.5 On-chip damper diode. 2.83.20.91.
tt2176.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Ordering number : ENN7535A TT2176NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2176Switching Regulator ApplicationsFeatures High breakdown voltage, High reliability. High-speed switching. Wide ASO. Adoption of MBIT process.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 500 VCollector
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .