BCM856BS-DG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BCM856BS-DG
Маркировка: PB*
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для BCM856BS-DG
BCM856BS-DG Datasheet (PDF)
bcm856bs bcm856bs-dg bcm856ds bcm856ds-dg.pdf
BCM856BS; BCM856BS/DG BCM856DS; BCM856DS/DG PNP/PNP matched double transistors Rev. 01 7 August 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package Package configuration Nexperia JEITA
bcm856bs bcm856ds.pdf
BCM856BS; BCM856BS/DG BCM856DS; BCM856DS/DG PNP/PNP matched double transistors Rev. 01 7 August 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package Package configuration NXP JEITA BCM
bcm856bs bcm856ds.pdf
BCM856BS; BCM856BS/DG BCM856DS; BCM856DS/DG PNP/PNP matched double transistors Rev. 01 7 August 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally. Table 1. Product overview Type number Package Package configuration NXP JEITA BCM
bcm856s.pdf
BCM856S PNP Silicon AF Transistor Array Precision matched transistor pair IC 10% 4 5 3 For current mirror applications 6 2 1 Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated Transistors Complementary type BCM846S BC856S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package Qualif
Другие транзисторы... BC856BM , BC857AQA , BC857BQA , BC857CQA , BC857RA , BCM53DS , BCM56DS , BCM847QAS , 2SC4793 , BCM856DS-DG , BCM857QAS , BCP51-10T , BCP51-16T , BCP51T , BCP52-10T , BCP52-16T , BCP52T .
History: 2SC4687 | 2SA2088FRA
History: 2SC4687 | 2SA2088FRA
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irfz44n | irf3205 | irfz44n datasheet | 2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640





