PBSS2515MB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PBSS2515MB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT883B
Аналоги (замена) для PBSS2515MB
PBSS2515MB Datasheet (PDF)
pbss2515mb.pdf
PBSS2515MB 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 1 26 January 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS3515MB. 1.2 Features and benefits Leadless ultra small SMD plastic High
pbss2515m.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D883 BOTTOM VIEW PBSS2515M 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2003 Sep 15 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 15 V, 0.5 A PBSS2515M NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Low collector-emitter saturation voltage VCEsat SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
pbss2515f 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PBSS2515F NPN transistor Product specification 2000 Oct 25 Philips Semiconductors Product specification NPN transistor PBSS2515F FEATURES PINNING Low VCEsat PIN DESCRIPTION High current capabilities. 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector Heavy duty battery powered equipment (automotive, telecom and audio video) such as
pbss2515vs.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D744 PBSS2515VS 15 V low VCE(sat) NPN double transistor Product data sheet 2004 Dec 23 Supersedes data of 2001 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheet 15 V low VCE(sat) NPN double transistor PBSS2515VS FEATURES QUICK REFERENCE DATA 300 mW total power dissipation SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Very small 1.6 1.2 mm ultra thin pac
Другие транзисторы... BFU725F-N1 , MJD31CA , MJD44H11A , NMB2227A , PBHV8115TLH , PBHV8515QA , PBHV9115TLH , PBHV9540X , TIP32C , PBSS4160X , PBSS4220PANS , PBSS4260PANS , PBSS4360PAS , PBSS4360X , PBSS5220PAPS , PBSS5250TH , PBSS5255PAPS .
History: BCP56T | SS8050T23
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent | 2sa1943









