PBSS4160X - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PBSS4160X - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PBSS4160X
   Маркировка: S41
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 170
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PBSS4160X

 

PBSS4160X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  nxp
pbss4160x.pdfpdf_icon

PBSS4160X

PBSS4160X 60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor 23 May 2017 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough in Smal Signal (BISS) transitor in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High

 6.1. Size:207K  philips
pbss4160ds.pdfpdf_icon

PBSS4160X

PBSS4160DS 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 04 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package. PNP/PNP complement PBSS5160DS. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High

 6.2. Size:341K  philips
pbss4160t.pdfpdf_icon

PBSS4160X

 6.3. Size:258K  philips
pbss4160dpn.pdfpdf_icon

PBSS4160X

PBSS4160DPN 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC

Другие транзисторы... MJD31CA , MJD44H11A , NMB2227A , PBHV8115TLH , PBHV8515QA , PBHV9115TLH , PBHV9540X , PBSS2515MB , MJE350 , PBSS4220PANS , PBSS4260PANS , PBSS4360PAS , PBSS4360X , PBSS5220PAPS , PBSS5250TH , PBSS5255PAPS , PBSS5260PAPS .

History: CHEMF19GP | SS8050T23

 

 
Back to Top

 


 
.