PBSS4160X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS4160X  📄📄 

Маркировка: S41

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 170

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PBSS4160X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4160X даташит

 ..1. Size:215K  nxp
pbss4160x.pdfpdf_icon

PBSS4160X

PBSS4160X 60 V, 1 A NPN low VCEsat BISS transistor 23 May 2017 Product data sheet 1. General description NPN low VCEsat Breakthrough in Smal Signal (BISS) transitor in a medium power SOT89 (SC-62) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC and ICM High

 6.1. Size:207K  philips
pbss4160ds.pdfpdf_icon

PBSS4160X

PBSS4160DS 60 V, 1 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 04 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package. PNP/PNP complement PBSS5160DS. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High

 6.2. Size:341K  philips
pbss4160t.pdfpdf_icon

PBSS4160X

 6.3. Size:258K  philips
pbss4160dpn.pdfpdf_icon

PBSS4160X

PBSS4160DPN 60 V, 1 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 03 11 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor pair in a SOT457 (SC-74) Surface Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability IC

Другие транзисторы: MJD31CA, MJD44H11A, NMB2227A, PBHV8115TLH, PBHV8515QA, PBHV9115TLH, PBHV9540X, PBSS2515MB, MJE350, PBSS4220PANS, PBSS4260PANS, PBSS4360PAS, PBSS4360X, PBSS5220PAPS, PBSS5250TH, PBSS5255PAPS, PBSS5260PAPS