Биполярный транзистор PBSS5255PAPS - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSS5255PAPS
Маркировка: 3N
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 170
Корпус транзистора: SOT1118D
Аналоги (замена) для PBSS5255PAPS
PBSS5255PAPS Datasheet (PDF)
pbss5255paps.pdf
PBSS5255PAPS55V, 2A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor11 December 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadlessmedium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plasticpackage with visible and solderable side pads.2. Features and benefits Very low collector-emitter sat
pbss5250x.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5250X50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Jun 17NXP Semiconductors Product data sheet50 V, 2 A PBSS5250XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat
pbss5250t.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETgeM3D088PBSS5250T50 V, 2 APNP low VCEsat (BISS) transistorProduct specification 2003 Oct 09Philips Semiconductors Product specification50 V, 2 APBSS5250TPNP low VCEsat (BISS) transistorQUICK REFERENCE DATAFEATURESSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEsatVCEO collector-emitter voltage -50 V
pbss5250x.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D109PBSS5250X50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistorProduct data sheet 2004 Nov 04Supersedes data of 2003 Jun 17NXP Semiconductors Product data sheet50 V, 2 A PBSS5250XPNP low VCEsat (BISS) transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) packageSYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat
pbss5250th.pdf
PBSS5250TH50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor9 August 2017 Product data sheet1. General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB)Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat High collector current capability: IC and ICM High collec
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050