PBSS5255PAPS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PBSS5255PAPS

Маркировка: 3N

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 170

Корпус транзистора: SOT1118D

 Аналоги (замена) для PBSS5255PAPS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS5255PAPS даташит

 ..1. Size:725K  nxp
 pbss5255paps.pdf pdf_icon

PBSS5255PAPS

PBSS5255PAPS 55V, 2A PNP/PNP low VCEsat (BISS) double transistor 11 December 2015 Product data sheet 1. General description PNP/PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) double transistor in a leadless medium power DFN2020D-6 (SOT1118D) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. 2. Features and benefits Very low collector-emitter sat

 7.1. Size:147K  philips
 pbss5250x.pdf pdf_icon

PBSS5255PAPS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

 7.2. Size:43K  nxp
 pbss5250t.pdf pdf_icon

PBSS5255PAPS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ge M3D088 PBSS5250T 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product specification 2003 Oct 09 Philips Semiconductors Product specification 50 V, 2 A PBSS5250T PNP low VCEsat (BISS) transistor QUICK REFERENCE DATA FEATURES SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter saturation voltage VCEsat VCEO collector-emitter voltage -50 V

 7.3. Size:147K  nxp
 pbss5250x.pdf pdf_icon

PBSS5255PAPS

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET dbook, halfpage M3D109 PBSS5250X 50 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Product data sheet 2004 Nov 04 Supersedes data of 2003 Jun 17 NXP Semiconductors Product data sheet 50 V, 2 A PBSS5250X PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA SOT89 (SC-62) package SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT Low collector-emitter sat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS2515MB, PBSS4160X, PBSS4220PANS, PBSS4260PANS, PBSS4360PAS, PBSS4360X, PBSS5220PAPS, PBSS5250TH, BD333, PBSS5260PAPS, PBSS5350TH, PBSS5360PAS, PBSS5360X, PDTA114EQA, PDTA114TMB, PDTA114YQA, PDTA115EMB