PDTA143XQA - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDTA143XQA
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT1215
Аналоги (замена) для PDTA143XQA
PDTA143XQA - технические параметры
pdta143xqa pdta123jqa pdta143zqa pdta114yqa.pdf
PDTA143X/123J/143Z/114YQA series 50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistors Rev. 1 30 October 2015 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. Table 1. Product overview Type
pdta143xe 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA143XE PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 10 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit design R1 1 Reduces numbe
pdta143xt 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTA143XT PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143XT FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ.4.7 k and 10 k respectively) 3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns 3 Reduces
pdta143xe 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTA143XE PNP resistor-equipped transistor 1999 Apr 20 Product specification Philips Semiconductors Product specification PNP resistor-equipped transistor PDTA143XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 10 k respectively) handbook, halfpage 3 3 Simplification of circuit design R1 1 Reduces numbe
Другие транзисторы... PDTA115EMB , PDTA115TMB , PDTA123JQA , PDTA123TMB , PDTA123YMB , PDTA124EMB , PDTA124EQA , PDTA143EQA , C5198 , PDTA143ZQA , PDTA144EQA , PDTA144TMB , PHPT61002NYCLH , PHPT61002PYCLH , PMBT2222AM , PMBT2222AMB , PMBT2222AQA .
History: BD544D | 2SB154
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882







