Биполярный транзистор PDTA143XQA Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PDTA143XQA
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.28 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT1215
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PDTA143XQA Datasheet (PDF)
pdta143xqa pdta123jqa pdta143zqa pdta114yqa.pdf

PDTA143X/123J/143Z/114YQA series50 V, 100 mA PNP resistor-equipped transistorsRev. 1 30 October 2015 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 mA PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) family in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.Table 1. Product overviewType
pdta143xe 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA143XEPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k and 10 krespectively)handbook, halfpage33 Simplification of circuit designR11 Reduces numbe
pdta143xt 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTA143XTPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143XTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ.4.7 k and 10 k respectively)3 Simplification of circuit design handbook, 4 columns3 Reduces
pdta143xe 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTA143XEPNP resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped transistor PDTA143XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k and 10 krespectively)handbook, halfpage33 Simplification of circuit designR11 Reduces numbe
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: MD2219F | 2N1131-46 | ME0401 | BC183K | NB012EI | BC183CP | 2N5606
History: MD2219F | 2N1131-46 | ME0401 | BC183K | NB012EI | BC183CP | 2N5606



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882