Биполярный транзистор PHPT61002PYCLH - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PHPT61002PYCLH
Маркировка: 1002PCC
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: SOT669
Аналоги (замена) для PHPT61002PYCLH
PHPT61002PYCLH Datasheet (PDF)
..1. phpt61002pyclh.pdf 
Size:255K _nxp
PHPT61002PYCLH100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor13 July 2017 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) powerplastic package.NPN complement: PHPT61002NYCLH.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C
2.1. phpt61002pyc.pdf Size:284K _nxp
PHPT61002PYC100 V, 2 A PNP high power bipolar transistor10 January 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT61002NYC.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C
5.1. phpt61002nyc.pdf Size:283K _nxp
PHPT61002NYC100V, 2 A NPN high power bipolar transistor9 January 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT61002PYC2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print
5.2. phpt61002nyclh.pdf Size:243K _nxp
PHPT61002NYCLH100 V, 2 A NPN high power bipolar transistor31 March 2017 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) powerplastic package.PNP complement: PHPT61002PYCLH2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced P
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SB817 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: S2000AFI | SS8550-MS | SS8050-MS | S9018-MS | S9015-MS | S9014-MS | S9013-MS | S9012-MS | S8550-MS | S8050-MS | MS13001 | MMBTA94-MS | MMBTA92-MS | MMBTA44-MS | MMBTA42-MS | MMBT5551-MS | MMBT5401-MS | MMBT3906T-MS | MMBT3906-MS | MMBT3904T-MS | MMBT3904-MS