Справочник транзисторов. PMBT2907AMB

 

Биполярный транзистор PMBT2907AMB Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PMBT2907AMB
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 210 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT883B
 

 Аналог (замена) для PMBT2907AMB

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PMBT2907AMB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  nxp
pmbt2907amb.pdfpdf_icon

PMBT2907AMB

PMBT2907AMB60 V, 600 mA PNP switching transistor21 September 2018 Product data sheet1. General descriptionPNP switching transistor in an ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) leadless Surface-MountedDevice (SMD) plastic package.NPN complement: PMBT2222AMB2. Features and benefits High current (max. 600 mA) Low voltage (max. 60V) Leadless ultra small SMD plastic package

 4.1. Size:217K  nxp
pmbt2907am.pdfpdf_icon

PMBT2907AMB

PMBT2907AM60 V, 600 mA PNP switching transistor21 September 2018 Product data sheet1. General descriptionPNP switching transistor in an ultra small DFN1006-3 (SOT883) leadless Surface-Mounted Device(SMD) plastic package.NPN complement: PMBT2222AM2. Features and benefits High current (max. 600 mA) Low voltage (max. 60 V) Leadless ultra small SMD plastic package

 5.1. Size:51K  philips
pmbt2907 pmbt2907a 4.pdfpdf_icon

PMBT2907AMB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBT2907; PMBT2907APNP switching transistors1999 Apr 27Product specificationSupersedes data of 1997 Sep 04Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistors PMBT2907; PMBT2907AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 base2 emitterAPPLICATIO

 5.2. Size:130K  philips
pmbt2907 pmbt2907a.pdfpdf_icon

PMBT2907AMB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088PMBT2907; PMBT2907APNP switching transistorsProduct data sheet 2004 Jan 16Supersedes data of 1999 Apr 27 NXP Semiconductors Product data sheetPMBT2907; PNP switching transistorsPMBT2907AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SD1541 | KSH117 | PDTC115TT | TP5551R | 2N5010S | MJE15028 | TIS37

 

 
Back to Top

 


 
.