Справочник транзисторов. MMBT3904HE3

 

Биполярный транзистор MMBT3904HE3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MMBT3904HE3
   Маркировка: 1AM*
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT3904HE3

 

 

MMBT3904HE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:563K  mcc
mmbt3904he3.pdf

MMBT3904HE3
MMBT3904HE3

MMBT3904HE3Features Halogen Free. "Green" Device (Note 1) AEC-Q101 Qualified Moisture Sensitivity Level 1 NPN Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability RatingGeneral Purpose Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS AmplifierCompliant. See Ordering Information) Maximum Ratings @ 25C Unless Otherwise Specified Operating Junction Temperature R

 5.1. Size:1062K  wpmtek
mmbt3904l mmbt3904h.pdf

MMBT3904HE3
MMBT3904HE3

Integrated inOVP&OCP productsproviderMMBT3904SOT-23 SOT-23 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Features MMBT3906 ; Complementary to MMBT3906 200mW; Power Dissipation of 200mW High Stability and High Reliability Mechanical Data : SOT-23 SOT-23 Sm

 5.2. Size:435K  cn yfw
mmbt3904 mmbt3904l mmbt3904h mmbt3904j.pdf

MMBT3904HE3
MMBT3904HE3

MMBT3904 SOT-23 NPN Transistors321.Base Features2.Emitter1 3.Collector Complementary to MMBT3906 Marking:1AM Simplified outline(SOT-23)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO 60 VCollector - Emitter Voltage VCEO 40 VEmitter - Base Voltage VEBO 6 VCollector Current - Continuous IC 0.2 ACollector Power Dis

 5.3. Size:1725K  cn yongyutai
mmbt3904l mmbt3904h.pdf

MMBT3904HE3
MMBT3904HE3

MMBT3904 TRANSI STOR (NPN)MARKING: Equivalent Circuit:SOT-231.BASE2.EMITTER3.COLLECTORFEATURES: Complimentary to MMBT3906 Collector Current: Ic=200mAMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector-Base Voltage VCBO 60 VCollector-Emitter Voltage VCEO 40 VEmitter-Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 200 mACollector P

 5.4. Size:925K  cn zre
mmbt3904l mmbt3904h.pdf

MMBT3904HE3
MMBT3904HE3

MMBT3904 TRANSISTOR(NPN) SOT-23 SOT-23 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Features MMBT3906 ; Complementary to MMBT3906 200mW; Power Dissipation of 200mW High Stability and High Reliability Mechanical Data : SOT-23 SOT-23 Small Outline Plastic Pack

 5.5. Size:1449K  cn yfsemi
mmbt3904l mmbt3904h.pdf

MMBT3904HE3
MMBT3904HE3

YFSEMI ELECTRONSOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3904 TRANSISTOR (NPN) SOT23 FEATURES Complementary to MMBT3906 MARKING:1AM MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit1. BASE VCBO Collector-Base Voltage 60 V 2. EMITTER VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V 3. COLLECTOR VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Coll

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , C3198 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top