MMBT3904L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT3904L3

Маркировка: 1AM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: DFN1006-3

 Аналоги (замена) для MMBT3904L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT3904L3 даташит

 ..1. Size:363K  mcc
mmbt3904l3.pdfpdf_icon

MMBT3904L3

MMBT3904L3 Features Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Moisture Sensitivity Level 1 Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating NPN Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS General Purpose Compliant. See Ordering Information) Amplifier Maximum Ratings @ 25 C Unless Otherwise Specified Operating Junction Temperature Range

 5.1. Size:164K  motorola
mmbt3904lt1rev1d.pdfpdf_icon

MMBT3904L3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT3904LT1/D General Purpose Transistor MMBT3904LT1 NPN Silicon COLLECTOR Motorola Preferred Device 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 6 Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter Base Voltage VE

 5.2. Size:230K  motorola
mmbt3904l.pdfpdf_icon

MMBT3904L3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MMBT3904LT1/D General Purpose Transistor MMBT3904LT1 NPN Silicon COLLECTOR Motorola Preferred Device 3 1 BASE 3 2 EMITTER 1 MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit CASE 318 08, STYLE 6 Collector Emitter Voltage VCEO 40 Vdc SOT 23 (TO 236AB) Collector Base Voltage VCBO 60 Vdc Emitter Base Voltage VE

 5.3. Size:396K  diodes
mmbt3904lp.pdfpdf_icon

MMBT3904L3

MMBT3904LP 40V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN DFN1006 Features Mechanical Data Case X1-DFN1006-3 BVCEO > 40V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. IC = 200mA High Collector Current UL Flammability Classification Rating 94V-0 PD = 1000mW Power Dissipation Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 0.60mm2 Package Footprint,

Другие транзисторы: 2SC2383P, BCP54-10HE3, BCP54-16HE3, BCP55-10HE3, BCP55-16HE3, BCP56-10HE3, BCP56-16HE3, MMBT3904HE3, B772, MMBT3906HE3, MMBT3906L3, MMS8050, MMS8550, MMS9014, MMS9015, RF3356, 2222A