Биполярный транзистор 2SA1244O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1244O
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 170 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO202
2SA1244O Datasheet (PDF)
2sa1244.pdf
2SA1244 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1244 High Current Switching Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: VCE (sat) = -0.4 V (max) (I = -3 A) C High speed switching time: t = 1.0 s (typ.) stg Complementary to 2SC3074 Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60
2sa1244.pdf
DIP Type TransistorsPNP Transistors2SA1244TO-251 Features Low collector saturation voltage1 2 3 High speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC30741 321 Base2 Collector3 EmitterUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50
2sa1244.pdf
2SA1244PNP TransistorsTO-251 Features Low collector saturation voltage1 2 3 High speed switching time: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SC30741 321 Base2 Collector3 EmitterUnit: mm Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter Voltage VCEO -50 V Emitter - Base Voltag
2sa1244.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1244DESCRIPTIONWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switching timeLow collector saturation voltageComplement to type 2SC3074Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSMedium power dissipationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050