Биполярный транзистор MS13001 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MS13001
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: SOT-23
MS13001 Datasheet (PDF)
ms13001.pdf

www.msksemi.comMS13001Semiconductor CompianceSemiconductor Compiance TRANSISTOR (NPN) FEATURE power switching applications 1. BASE2. EMITTERSOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO 700 VCollector -Base Voltage VCEO 400 VCollector-Emitter Voltage VEBO 9 VEmitter-Base Voltage IC Collector Curr
Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2SA1943 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: ST2SD1664U-R | ST2SD1664U-Q | ST2SD1664U-P | MMBTSC945Y | MMBTSC945R | MMBTSC945P | MMBTSC945O | MMBTSC945L | MMBTSC4098W | MMBTSC3356S | MMBTSC3356R | MMBTSC3356Q | MMBTSC1815Y | MMBTSC1815O | MMBTSC1815L | MMBTSC1815G | MMBTSC1623Y | MMBTSC1623O | MMBTSC1623L | MMBTSC1623G | MMBTSA812Y