Биполярный транзистор S9012-MS - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S9012-MS
Маркировка: 2T1
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
S9012-MS Datasheet (PDF)
s9012-ms.pdf
www.msksemi.comS9012-MSSemiconductor CompianceSemiconductor CompianceTRANSISTOR (PNP)FEATURES High Collector Current Complementary To 1. BASE S9013-MS 2. EMITTERSOT23 MARKING: 2T1 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base
mms9012-l.pdf
MCCMicro Commercial Components MMS9012-LTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMS9012-HPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsPNP Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating
mms9012-h.pdf
MCCMicro Commercial Components MMS9012-LTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMS9012-HPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsPNP Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating
s9012-l s9012-h s9012-j.pdf
S9012 PNP Silicon Epitaxial Planar TransistorFEATURES High Collector Current.(IC= -500mA Complementary To S9013. Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS High Collector Current. SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEB
s9012 s9012-l s9012-h s9012-j.pdf
S9012PNP Transistors321.Base2.EmitterFeatures1 3.CollectorExcellent hFE liearity Simplified outline(SOT-23)Collector Current :IC=-0.5AAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO -40 VCollector - Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter - Base Voltage VEBO -5 VCollector Current to Continuous IC -500 mACollector Power Dis
s9012-l s9012-h s9012-j.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTDS9012General Purpose TransistorPNP SiliconFEATURES High Collector Current Complementary To S9013 Excellent hFE LinearitySOT-233COLLECTOOR31DEVICE MARKINGBASES9012 = 2T112EMITTER2MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO -25 Vdc
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050