Биполярный транзистор S9013-MS - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S9013-MS
Маркировка: J3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-23
S9013-MS Datasheet (PDF)
s9013-ms.pdf
www.msksemi.comS9013-MSSemiconductor CompianceSemiconductor Compiance TRANSISTOR (NPN)FEATURES High Collector Current. Complementary to S9012-MS Excellent hFE Linearity.1. BASE2. EMITTERMARKING: J3 SOT23 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Volta
mms9013-l.pdf
MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMMS9013-LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933MMS9013-HFax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating
mms9013-h.pdf
MCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMMS9013-LMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933MMS9013-HFax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating
s9013 s9013-l s9013-h s9013-j.pdf
S9013NPN Transistors321.BaseFeatures2.Emitter1 3.CollectorExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A Simplified outline(SOT-23)Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO 40 VCollector - Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter - Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - Continuous IC 500 mACollector Power Dissipat
s9013-l s9013-h s9013-j.pdf
Jingdao Microelectronics co.LTDS9013General Purpose TransistorNPN SiliconFEATURES High Collector Current. Complementary to S9012. Excellent hFE Linearity.SOT-23 3COLLECTOOR31DEVICE MARKINGBASES9013 = J312EMITTER2MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 25 VdcC
s9013 s9013-l s9013-h s9013-j.pdf
S9013 SOT-23 NPN Transistors32 1.BaseFeatures2.Emitter1 3.Collector Excellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO 40 VCollector - Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter - Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - Continuous IC 500 mACollector Pow
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050