Биполярный транзистор UB1580 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UB1580
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: SOT-89
UB1580 Datasheet (PDF)
ub1580.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UB1580 Preliminary PNP SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC UB1580 is a PNP Darlington transistor, designed for use in general purpose amplifier and low speed switching 1application.. SOT-89 FEATURES * Collector-Emitter Voltage: V = -150V CEO* Collector Dissipation: P = 600mW C(MAX)* Low Colle
Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2SA1943 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: ST2SD1664U-R | ST2SD1664U-Q | ST2SD1664U-P | MMBTSC945Y | MMBTSC945R | MMBTSC945P | MMBTSC945O | MMBTSC945L | MMBTSC4098W | MMBTSC3356S | MMBTSC3356R | MMBTSC3356Q | MMBTSC1815Y | MMBTSC1815O | MMBTSC1815L | MMBTSC1815G | MMBTSC1623Y | MMBTSC1623O | MMBTSC1623L | MMBTSC1623G | MMBTSA812Y