2SCR572D3FRA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SCR572D3FRA  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SCR572D3FRA

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR572D3FRA даташит

 ..1. Size:1019K  rohm
2scr572d3fra.pdfpdf_icon

2SCR572D3FRA

2SCR572D3 FRA Datasheet NPN 5.0A 30V Power Transistor AEC-Q101 Qualified lOutline l Parameter Value DPAK VCEO 30V IC 5A TO-252 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary PNP Types 2SAR572D3 FRA. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=400mV(Max.). (IC/IB=2A/100mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLI

 5.1. Size:1654K  rohm
2scr572d3.pdfpdf_icon

2SCR572D3FRA

2SCR572D3 NPN 5.0A 30V Power Transistor Datasheet lOutline l Parameter Value DPAK VCEO 30V IC 5A TO-252 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary PNP Types 2SAR572D3. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=400mV(Max.). (IC/IB=2A/100mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER lPackaging specificati

 6.1. Size:787K  rohm
2scr572d.pdfpdf_icon

2SCR572D3FRA

2SCR572D Datasheet NPN 5.0A 30V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO 30V IC 5A 2SCR572D lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary PNP Types 2SAR572D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.40V(Max.). (IC/IB=2A/100mA) 4) Lead Free/R

 6.2. Size:212K  inchange semiconductor
2scr572d.pdfpdf_icon

2SCR572D3FRA

isc Silicon NPN Power Transistor 2SCR572D DESCRIPTION Suitable for middle power drivers Low V CE(sat) V =0.4V@(I =2A,I =0.1A) CE(sat) C B Complementary NPN types 2SAR572D 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы: 2SCR346P, 2SCR502U3HZG, 2SCR512P5, 2SCR513P5, 2SCR533P5, 2SCR544P5, 2SCR554P5, 2SCR572D3, 2SC2383, 2SCR573D3, 2SCR574D3FRA, BC847BHZG, BC847BU3, BC857BHZG, DTA115EUB, DTD143ECHZG, EMX4