2SCR573D3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SCR573D3  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 320 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SCR573D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SCR573D3 даташит

 ..1. Size:1681K  rohm
 2scr573d3.pdf pdf_icon

2SCR573D3

2SCR573D3 Datasheet NPN 3.0A 50V Power Transistor lOutline l Parameter Value DPAK VCEO 50V IC 3A TO-252 lFeatures lInner circuit l l 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary PNP Types 2SAR573D3. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=350mV(Max.). (IC/IB=1A/50mA) lApplication l LOW FREQUENCY AMPLIFIER lPackaging specificatio

 6.1. Size:792K  rohm
 2scr573d.pdf pdf_icon

2SCR573D3

2SCR573D Datasheet NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO 50V IC 3A 2SCR573D lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary PNP Types 2SAR573D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.35V(Max.). (IC/IB=1A/50mA) 4) Lead Free/Ro

 6.2. Size:796K  rohm
 2scr573da08.pdf pdf_icon

2SCR573D3

2SCR573D A08 Datasheet NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor lOutline l Parameter Value CPT VCEO 50V IC 3A 2SCR573D A08 lFeatures l 1) Suitable for Middle Power Driver. lInner circuit l 2) Complementary PNP Types 2SAR573D. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=0.35V(Max.). (IC/IB=1A/50mA) 4) Lead

 6.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2scr573d.pdf pdf_icon

2SCR573D3

isc Silicon NPN Power Transistor 2SCR573D DESCRIPTION Suitable for middle power drivers Low V CE(sat) V =0.35V@(I =1A,I =50mA) CE(sat) C B Complementary NPN types 2SAR573D 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Low frequency amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SCR502U3HZG, 2SCR512P5, 2SCR513P5, 2SCR533P5, 2SCR544P5, 2SCR554P5, 2SCR572D3, 2SCR572D3FRA, B772, 2SCR574D3FRA, BC847BHZG, BC847BU3, BC857BHZG, DTA115EUB, DTD143ECHZG, EMX4, LSCR523EBFS8