Справочник транзисторов. LSCR523EBFS8

 

Биполярный транзистор LSCR523EBFS8 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: LSCR523EBFS8
   Маркировка: NB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: EMT3F

 Аналоги (замена) для LSCR523EBFS8

 

 

LSCR523EBFS8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  rohm
lscr523ebfs8.pdf

LSCR523EBFS8
LSCR523EBFS8

PRODUCTS TYPE PAGE EMT3F LSCR523EB FS8 1/2 1. LSCR523EB FS8 2. NPN 3. 4. [Ta=25] VCBO 50V VCEO 50V VEBO 5V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top