Справочник транзисторов. B722S-P

 

Биполярный транзистор B722S-P Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: B722S-P
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для B722S-P

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B722S-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:451K  cn shikues
 b722s-r b722s-q b722s-p b722s-e.pdf pdf_icon

B722S-P

B722SPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audiofrequency power amplifier and low speed switchingSOT-23 applications1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

Другие транзисторы... 2SD874A-Q , 2SD874A-R , 2SD874A-S , 2SD965-R , 2SD965-S , A1015H , A1015L , B722S-E , A940 , B722S-Q , B722S-R , B772GR , B772O , B772R , B772Y , C1815G , C1815L .

History: B722S-R

 

 
Back to Top

 


 
.