Биполярный транзистор D882GR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D882GR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT89
D882GR Datasheet (PDF)
d882r d882o d882q d882gr.pdf
D882TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipationSOT-89 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASESymbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V 2. COLLECTORVCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 3. EMITTERIC Collector Current -Continuous 3 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W TJ Junction Temperature 150
d882r d882o d882y d882gr.pdf
SOT -89 Plastic-Encapsulate NPN Transistors FEATURES Power dissipation 0.5W MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25 unless otherwise specified) 1 of 2 Typical characteristics 2 of 2
d882r d882o d882y d882gr.pdf
D882 SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L FEATURES 1. BASE Power dissipation 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 3 A PC Collector Power Dis
d882r d882o d882y d882gr.pdf
D882 D882 TRANSISTOR (NPN) SOT-89-3L 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Power dissipation 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 3 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W Thermal Resistance fr
d882r d882o d882y d882gr.pdf
D882 TRANSISTOR(NPN)SOT-89-3L SOT-89-3LSOT-89-3LPlastic-Encapsulate Transistors Features Low speed switching Power Dissipation of 500mW High Stability and High Reliability Mechanical Data SOT-89-3L Outline Plastic Package Epoxy UL: 94V-0Marking: D882 Mounting Position: Any(TA = 25
2sd882gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD2SD882GPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (SC-62/SOT-89)SC-62/SOT-89* Low saturation voltage VCE(sat)=0.5V(max.)(IC=2A) * High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate).4.6MAX. 1.6MAX.*
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
