Биполярный транзистор KTC4375O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KTC4375O
Маркировка: GO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT89
KTC4375O Datasheet (PDF)
ktc4375o ktc4375y.pdf
KTC4375NPN Plastic-Encapsulate TransistorsEncapsulate Transistors FEATURES Low voltage MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitSOT-89VCBO 30 VCollector-Base Voltage 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation
ktc4375.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L KTC4375 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES Low voltage 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitVCBO 30 VCollector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle
ktc4375.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4375TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATURES1W (Mounted on Ceramic Substrate).ACSmall Flat Package. HComplementary to KTA1663.L GMDIM MILLIMETERSA 4.70 MAXN_+B 2.50 0.20C 1.70 MAXDDMAXIMUM RATING (Ta=25)D 0.45+0.15/-0.10KE 4.25 MAX_+CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT F F F 1.50
ktc4375.pdf
KTC4375TRANSISTOR (NPN) SOT-89 FEATURES 1. BASE Low voltage 2. COLLECTOR 1 2 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER 3 Symbol Parameter Value UnitsVCBO 30 VCollector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W TJ Junction Temp
ktc4375 sot-89.pdf
KTC4375 SOT-89 Transistor(NPN)1. BASE SOT-891 2. COLLECTOR 4.62 B4.41.61.83. EMITTER 1.43 1.42.64.25Features 2.43.75 0.8 Low voltage MIN0.530.400.480.442x)0.13 B0.35 0.371.5MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.0Symbol Parameter Value UnitsDimensions in inches and (millimeters)VCBO 30 VCollector-Base Voltage
ktc4375.pdf
KTC4375NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORP b Lead(Pb)-Free1. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER 123SOT-89ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TaRating Symbol Value UnitVCBO30 VCollector-Base VoltageVCEO30 VCollector-Emitter VoltageVVEBO 5Emitter-Base VoltageICCollector Current-Continuous 1.5 APC0.5 WCollector Power DisspationJunction Temperature TJ 150 C-55 to 150
ktc4375.pdf
KTC4375 Rev.E Mar.-2016 DATA SHEET / Descriptions SOT-89 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package. / Features , KTA1663 Small flat package, complementary to KTA1663. / Applications High current application. / Equivalent Circuit
ktc4375.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsKTC43751.70 0.1 Features Low voltage Comlementary to KTA16630.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 30 Collector - Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter - Base Voltage VEBO 5 Collector Current - Continuous IC 1.5 A Colle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050