KTC4375O. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KTC4375O
Маркировка: GO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 max pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для KTC4375O
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
KTC4375O даташит
ktc4375o ktc4375y.pdf
KTC4375 NPN Plastic-Encapsulate Transistors Encapsulate Transistors FEATURES Low voltage MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit SOT-89 VCBO 30 V Collector-Base Voltage 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation
ktc4375.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L KTC4375 TRANSISTOR (NPN) 1. BASE FEATURES Low voltage 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO 30 V Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle
ktc4375.pdf
SEMICONDUCTOR KTC4375 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT APPLICATION. FEATURES 1W (Mounted on Ceramic Substrate). A C Small Flat Package. H Complementary to KTA1663. L G M DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX N _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX D D MAXIMUM RATING (Ta=25 ) D 0.45+0.15/-0.10 K E 4.25 MAX _ + CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT F F F 1.50
ktc4375.pdf
KTC4375 TRANSISTOR (NPN) SOT-89 FEATURES 1. BASE Low voltage 2. COLLECTOR 1 2 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER 3 Symbol Parameter Value Units VCBO 30 V Collector-Base Voltage VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W TJ Junction Temp
Другие транзисторы: KTC3875S-O, KTC3875S-Y, KTC3880O, KTC3880R, KTC3880Y, KTC4373Y, KTC4374O, KTC4374Y, NJW0281G, KTC4375Y, MMBT3946DW, MMBT5401DW, MMBT5551DW, PXT8050C, PXT8050D, PXT8550C, PXT8550D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor








