Биполярный транзистор S9012L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: S9012L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT23
S9012L Datasheet (PDF)
s9012l s9012h s9012j.pdf
RUMW UMW S9012SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsS9012 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES High Collector Current Complementary To S90131. BASE Excellent hFE Linearity 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: 2T1 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO
s9012l 29012h.pdf
S9012S9012S9012S9012S9 0 12 TRANSISTOR(PNP)FEATURES High Collector Current SOT-23 Complementary To S9013 Excellent hFE Linearity 1BASE 2EMITTER MARKING: 2T1 3COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO -40 VCollector-Base VoltageVCEO -25 VCollector-Emitter VoltageVEBO Emitter-Base Voltage -5
s9012lt1.pdf
S9012LT1PNP General Purpose Transistors3P b Lead(Pb)-Free 12SOT-23ValueVCEO -20-40-5-5003002.4417S9012PLT1=12P S9012QLT1=12Q S9012RLT1=12R S9012SLT1=12S-0.1-20-100 -40-5.0-100u-0.15-35-0.15 u-4.0WEITRON1/2 28-Apr-2011http://www.weitron.com.twS9012LT1ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued)Characterist
s9012lt1.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 1. BASE S9012LT1 TRANSISTOR (PNP) 2. EMITTER 3. COLLECTOR FEATURES Power dissipation 2. 4 PCM: 0.3 W (Tamb=25) 1. 3 Collector current ICM: -0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO: -40 V Operating and storage junction temperature range Unit: mm TJ, Tst
s9012lt.pdf
Bruckewell Technology Corp., Ltd. PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR S9012LT FEATURES Excellent HFE Linearity HFE hFE(2)=25(Min.) at VCE=6V ,Ic=400m High Total Power Dissipation: Pc=225mW MECHANICAL DATA * Case: SOT-23 Molded plastic * Epoxy: UL94V-O rate flame retardant SOT-23 Dimensions in millimeter MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Maximum Ratings (T
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050