Биполярный транзистор SS8050W-J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SS8050W-J
Маркировка: Y1
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для SS8050W-J
SS8050W-J Datasheet (PDF)
ss8050w-l ss8050w-h ss8050w-j.pdf
SS8050WSS8050W TRANSISTOR (NPN)FEATURES Complimentary to SS8550W MARKING: Y1 SOT323 3. COLLECTOR 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation 0
ss8050w-l ss8050w-h ss8050w-j.pdf
SS8050WSS8050WSS8050WSS8050WTRANSISTOR(NPN)SS8 0 50 WSOT323 3FEATURES Complimentary to SS8550W 1. BASE 1 2. EMITTER 23. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Co
mmss8050w-h-j-l.pdf
MMSS8050W-LMCCTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components MMSS8050W-HCA 91311Phone: (818) 701-4933MMSS8050W-JFax: (818) 701-4939Features SOT-323 Plastic-Encapsulate TransistorsNPN Silicon Capable of 0.2 Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 1.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 4
ss8050w.pdf
SS8050WNPN SiliconElektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorRoHS Compliant ProductSOT-323FEATURESCollectorDim Min Max33A 1.800 2.200Power dissipation11 B 1.150 1.3502 BasePCM : 0.2 WC 0.800 1.000Collector CurrentD 0.300 0.4002ICM : 1.5 A A G 1.200 1.400EmitterLH 0.000 0.100Collector-base voltageJ 0.100 0.2503V(BR)CBO : 40 VSTo
ss8050w.pdf
SS8050WNPN Transistors Features3 High Collector Current Complementary to SS8550W21.Base2.Emitter3.Collector1 Simplified outline(SOT-323) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 1.5 APC Collector Power Dissip
ss8050w.pdf
SS8050W TRANSISTOR (NPN)SOT323 FEATURES Complimentary to SS8550W 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MARKING: Y1 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050