SXT5401 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SXT5401  📄📄 

Маркировка: 2L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SXT5401

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SXT5401 даташит

 ..1. Size:325K  cn shikues
 sxt5401.pdf pdf_icon

SXT5401

SXT5401 High Voltage Transistors SOT-89 DESCRIPTION & FEATURES High Collector Breakdown Voltage (VCBO=-160V, VCEO=-150V) (ICBO=-50nA(Max.), @VCB=-120V) Low Leakage Current VCE(sat)=-0.5V(Max.), @IC=-50mA, IB=-5mA Low Saturation Voltage Low Noise NF=8bB(Max.) PIN ASSIGNMENT PIN NUMBER PIN NAME FUNCTION SOT-89 B 1 BASE C 2 COLLECTOR E 3 EMITTER DEVICE MA

Другие транзисторы: S8050H, S8050L, S9012L, S9014T-H, S9014T-L, SS8050W-H, SS8050W-J, SS8050W-L, C3198, SXT5551, SZT560A, 13001S, 2SA812M8, 2SB1132-P, 2SB1132-Q, 2SB1132-R, 2SB1188-P