2SD1624-T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1624-T  📄📄 

Маркировка: DGT*

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1624-T

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1624-T даташит

 ..1. Size:1317K  slkor
2sd1624-r 2sd1624-s 2sd1624-t 2sd1624-u.pdfpdf_icon

2SD1624-T

2SD1624 Features 1.70 0.1 Low collector-to-emitter saturation voltage. Large current capacity and wide ASO. Fast switching speed. Complementary to 2SB1124 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 60 Collector - Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter - Base Volta

 7.1. Size:143K  sanyo
2sd1624.pdfpdf_icon

2SD1624-T

Ordering number 2019A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1124/2SD1624 High Current Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2038 [2SB1124/2SD1624] Features Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast switching speed.

 7.2. Size:108K  sanyo
2sb1124 2sd1624.pdfpdf_icon

2SD1624-T

Ordering number ENN2019A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1124/2SD1624 High Current Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2038A [2SB1124/2SD1624] Features 4.5 1.5 1.6 Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage. Fast swi

 7.3. Size:357K  onsemi
2sb1124 2sd1624.pdfpdf_icon

2SD1624-T

Ordering number EN2019B 2SB1124/2SD1624 Bipolar Transistor http //onsemi.com ( ) ( ) ( ) ( ) 50V, 3A, Low VCE sat , PNP NPN Single PCP Applications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment Features Adoption of FBET, MBIT processes Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Large current capacity and wide

Другие транзисторы: 2SC4228C, 2SC4228D, 2SC4228E, 2SC4901-B, 2SC4901-C, 2SC4901-D, 2SD1624-R, 2SD1624-S, 2SD1047, 2SD1624-U, 2SD1766-P, 2SD1766-Q, 2SD1766-R, 2SD1781Q, 2SD1781R, 2SD965A-Q, 2SD965A-R