Биполярный транзистор CZT5551A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CZT5551A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SOT223
CZT5551A Datasheet (PDF)
czt5551a czt5551n czt5551c.pdf
CZT5551NPN Transistor Epitaxial Planar TransistorSOT-223Description The CZT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 E 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.30 3.70 H 0.25 0.35 4 3.30 3.70 o 5 1.40 1.80 MAXIMUM RATINGS* (Tam
czt5551e.pdf
CZT5551Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES:SOT-223 CASESOT-223 CASE High Collector Breakdown Voltage
czt5551.pdf
CZT5551www.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551 type is an NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASEMAXIMUM RATINGS: (TA=25C) SYMBOL UNITSCol
czt5551hc.pdf
CZT5551HCwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5551HC type is a high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications.MARKING: FULL PART NUMBERSOT-223 CASESOT-223 CASE
czt5551.pdf
CZT5551NPN Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The CZT5551 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 5 5 1D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3
czt5551.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-223 CZT5551 TRANSISTOR (NPN) FEATURES High Voltage 1. BASE High Voltage Amplifier Application 2. COLLECTOR MARKING: 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage 180 V CBOV Collector-Emitter Volt
czt5551.pdf
SMD Type TransistorsNPN TransistorsCZT5551 (KZT5551)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.14 Features High Voltage High Voltage Amplifier Application1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 180 Colle
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050