MJD127D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MJD127D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO252

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MJD127D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MJD127D даташит

 ..1. Size:977K  slkor
 mjd127d.pdf pdf_icon

MJD127D

MJD127D Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION Low Collector-Emitter saturation voltage Lead formed for surface mount applications High DC current gain 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. ABSOLUTE MAXI

 8.1. Size:284K  motorola
 mjd122re mjd127.pdf pdf_icon

MJD127D

Order this document MOTOROLA by MJD122/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN * MJD122 Complementary Darlington PNP MJD127* Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications *Motorola Preferred Device Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. SILICON Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix) POWER TRANSISTORS

 8.2. Size:93K  st
 mjd122 mjd127.pdf pdf_icon

MJD127D

MJD122 MJD127 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR- EMITTER DIODE SURFACE-MOUNTING TO-252 (DPAK) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX T4 ) 3 ELECTRICAL SIMILAR TO TIP122 AND TIP127 1 APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING AND DPAK AMPLIFIER. TO-252 (Suffix

 8.3. Size:205K  onsemi
 mjd127g.pdf pdf_icon

MJD127D

MJD122, NJVMJD122T4G (NPN), MJD127 (PNP) Complementary Darlington Power Transistor http //onsemi.com DPAK For Surface Mount Applications SILICON Designed for general purpose amplifier and low speed switching POWER TRANSISTOR applications. 8 AMPERES 100 VOLTS, 20 WATTS Features Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves Surface Mount Replacements for 2N

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BFG520-X, BFG520-XR, CZT5551A, CZT5551C, CZT5551N, D882Q, MBT3946, MJD122D, NJW0281G, MMBTA56G, MMBTA56H, PBSS304, S8050TH, S8050TJ, S8050TL, S8050W-H, S8050W-J