Справочник транзисторов. S9012-J

 

Биполярный транзистор S9012-J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: S9012-J
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для S9012-J

 

 

S9012-J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:303K  slkor
s9012-l s9012-h s9012-j.pdf

S9012-J
S9012-J

S9012 PNP Silicon Epitaxial Planar TransistorFEATURES High Collector Current.(IC= -500mA Complementary To S9013. Excellent HFE Linearity. APPLICATIONS High Collector Current. SOT-23 MAXIMUM RATING @ Ta=25 unless otherwise specified Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter-Base Voltage VEB

 ..2. Size:1158K  cn evvo
s9012 s9012-l s9012-h s9012-j.pdf

S9012-J
S9012-J

S9012PNP Transistors321.Base2.EmitterFeatures1 3.CollectorExcellent hFE liearity Simplified outline(SOT-23)Collector Current :IC=-0.5AAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector - Base Voltage VCBO -40 VCollector - Emitter Voltage VCEO -25 VEmitter - Base Voltage VEBO -5 VCollector Current to Continuous IC -500 mACollector Power Dis

 ..3. Size:825K  cn salltech
s9012-l s9012-h s9012-j.pdf

S9012-J
S9012-J

 ..4. Size:786K  cn shandong jingdao microelectronics
s9012-l s9012-h s9012-j.pdf

S9012-J
S9012-J

Jingdao Microelectronics co.LTDS9012General Purpose TransistorPNP SiliconFEATURES High Collector Current Complementary To S9013 Excellent hFE LinearitySOT-233COLLECTOOR31DEVICE MARKINGBASES9012 = 2T112EMITTER2MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO -25 Vdc

 8.1. Size:175K  mcc
mms9012-l.pdf

S9012-J
S9012-J

MCCMicro Commercial Components MMS9012-LTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMS9012-HPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsPNP Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating

 8.2. Size:175K  mcc
mms9012-h.pdf

S9012-J
S9012-J

MCCMicro Commercial Components MMS9012-LTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMS9012-HPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features SOT-23 Plastic-Encapsulate TransistorsPNP Silicon Capable of 0.3Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. Collector-current 0.5APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating

 8.3. Size:3960K  msksemi
s9012-ms.pdf

S9012-J
S9012-J

www.msksemi.comS9012-MSSemiconductor CompianceSemiconductor CompianceTRANSISTOR (PNP)FEATURES High Collector Current Complementary To 1. BASE S9013-MS 2. EMITTERSOT23 MARKING: 2T1 3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top