Биполярный транзистор 2SA1744L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1744L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO220F
2SA1744L Datasheet (PDF)
2sa1744m 2sa1744l 2sa1744k.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA1744DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 100(Min)@ (V = -2V , I = -3A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = -0.3V(Max)@ (I = -8A, I = -0.4A)CE(sat) C BAPPLICATIONSThis type of power transistor is developed for high-speedswitching and f
2sa1744.pdf
DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SA1744PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SA1744 is a power transistor developed for high-speed PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)switching and features a high hFE at Low VCE(sat). This transistor isideal for use as a driver in DC/DC converters and actuators.In addition, a small resin-molded insulation type packagecontributes
2sa1744t2tl.pdf
2SA1744T2TLSilicon PNP Power TransistorDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 100(Min)@ (V = -2V , I = -3A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = -0.3V(Max)@ (I = -8A, I = -0.4A)CE(sat) C BAPPLICATIONSThis type of power transistor is developed for high-speedswitching and features a high h at low V ,which
2sa1744.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1744DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 100(Min)@ (V = -2V , I = -3A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = -0.3V(Max)@ (I = -8A, I = -0.4A)CE(sat) C BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThis type of power t
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
