Биполярный транзистор 2SA2198 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA2198
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 400 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO3PML
2SA2198 Datasheet (PDF)
2sa2198.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor 2SA2198DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage:V = -0.5(V)(Max)@I = -5ACE(sat) CGood Linearity of hFEAPPLICATIONSDesigned for chopper regulator, switch and generalpurpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -70 VCBOV Collector-E
2sa2190.pdf
2SA2190 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor Type 2SA2190 Unit: mmPower Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 200 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO - 180 VCollector-emitter voltage VCEO - 180 VEmitter-base voltage VEBO -
2sa2195.pdf
2SA2195 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2195 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications 2.10.1Strobe Applications 1.70.1 High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.2 V (max) 1 High-speed switching: tf = 90 ns (typ.) 2 3Absolute Maximum Ratings
2sa2199.pdf
2SA2199 Transistors General Purpose Transistor (-50V, -100mA) 2SA2199 Applications Dimensions (Unit : mm) Small signal low frequency amplifier VMN3 Features 0.220.161) Excellent hFE linearity. (3)2) Complements the 2SC6114. Structure (1) (2)PNP silicon epitaxial 0.370.170.35planar transistor 0.6(1) Base(2) EmitterAbbreviated symbol : P (3) C
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050