Справочник транзисторов. 2SC3181R

 

Биполярный транзистор 2SC3181R - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC3181R
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 190 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
   Корпус транзистора: TO3PI

 Аналоги (замена) для 2SC3181R

 

 

2SC3181R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  cn sptech
2sc3181r 2sc3181o.pdf

2SC3181R
2SC3181R

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3181DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @I = 6ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1264APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 55W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

 7.1. Size:90K  toshiba
2sc3181.pdf

2SC3181R
2SC3181R

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 7.2. Size:195K  jmnic
2sc3181n.pdf

2SC3181R
2SC3181R

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3181N DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SA1264N APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

 7.3. Size:203K  inchange semiconductor
2sc3181.pdf

2SC3181R
2SC3181R

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3181DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @I = 6ACE(sat) CGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1264Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 55W high fidelity audio frequencyamplifier output stage appl

 7.4. Size:161K  inchange semiconductor
2sc3181n.pdf

2SC3181R
2SC3181R

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3181N DESCRIPTION With TO-3P(I) package Complement to type 2SA1264N APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 55W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3P

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SA1813 | 2SA1767

 

 
Back to Top