2SC3835Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC3835Y  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC3835Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC3835Y даташит

 ..1. Size:132K  cn sptech
2sc3835o 2sc3835y 2sc3835g.pdfpdf_icon

2SC3835Y

 7.1. Size:120K  utc
2sc3835.pdfpdf_icon

2SC3835Y

UTC 2SC3835 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SWITCH NPN TRANSISTOR APLLICATION *Humidifier,DC-DC converter,and general purpose. 1 TO-3PN 1 BASE 2 COLLECTOR 3 EMITTER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 200 V Collector-Emitter Voltage VCEO 120 V Emitter-Base Voltage VEBO 8 V Base Current IB 3 A Collector Current 7 A

 7.2. Size:117K  jmnic
2sc3835.pdfpdf_icon

2SC3835Y

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistor 2SC3835 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 120V (Min) Good Linearity of hFE APPLICATIONS Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBO

 7.3. Size:28K  sanken-ele
2sc3835.pdfpdf_icon

2SC3835Y

2SC3835 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor) Application Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) External Dimensions MT-100(TO3P) Symbol Ratings Unit Unit Symbol Conditions Ratings 0.2 4.8 0.4 15.6 VCBO 200 VCB=200V 100max A 0.1 V ICBO 9.6 2.0 VCEO 120 IEBO

Другие транзисторы: 2SC3157M, 2SC3181O, 2SC3181R, 2SC3834G, 2SC3834O, 2SC3834Y, 2SC3835G, 2SC3835O, C3198, 2SC3856O, 2SC3856P, 2SC3856Y, 2SC4467O, 2SC4467P, 2SC4467Y, 2SC4550K, 2SC4550L