Биполярный транзистор 2SC4552M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4552M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220F
2SC4552M Datasheet (PDF)
2sc4552m 2sc4552l 2sc4552k.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC4552DESCRIPTION With TO-220F package High hFE and low VCE(sat) APPLICATIONS For high-speed switching For use in drivers such as DC-DC converters and actuators. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25)
2sc4552.pdf
DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC4552NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SC4552 is a power transistor developed for high-speed PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)switching and features low VCE(sat) and high hFE. This transistor isideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators.In addition, a small resin-molded insulation type packagecontribu
2sc4552t2tl.pdf
2SC4552T2TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A)CE(sat) C BAPPLICATIONSDesigned for use as a driver in DC/DC converters andactuators.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
2sc4552.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4552DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A)CE(sat) C BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as a drive
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
