Биполярный транзистор 2SC4552M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC4552M
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220F
2SC4552M Datasheet (PDF)
2sc4552m 2sc4552l 2sc4552k.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC4552DESCRIPTION With TO-220F package High hFE and low VCE(sat) APPLICATIONS For high-speed switching For use in drivers such as DC-DC converters and actuators. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 CollectorFig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol3 EmitterAbsolute maximum ratings (Ta=25)
2sc4552.pdf
DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC4552NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR HIGH-SPEED SWITCHINGThe 2SC4552 is a power transistor developed for high-speed PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)switching and features low VCE(sat) and high hFE. This transistor isideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators.In addition, a small resin-molded insulation type packagecontribu
2sc4552t2tl.pdf
2SC4552T2TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A)CE(sat) C BAPPLICATIONSDesigned for use as a driver in DC/DC converters andactuators.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
2sc4552.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4552DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A)FE CE CLow Saturation Voltage-: V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A)CE(sat) C BMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as a drive
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , BC327 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050