2SC4552M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC4552M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SC4552M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4552M даташит

 ..1. Size:310K  cn sptech
 2sc4552m 2sc4552l 2sc4552k.pdf pdf_icon

2SC4552M

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC4552 DESCRIPTION With TO-220F package High hFE and low VCE(sat) APPLICATIONS For high-speed switching For use in drivers such as DC-DC converters and actuators. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25 )

 7.1. Size:161K  nec
 2sc4552.pdf pdf_icon

2SC4552M

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SC4552 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SC4552 is a power transistor developed for high-speed PACKAGE DRAWING (UNIT mm) switching and features low VCE(sat) and high hFE. This transistor is ideal for use in drivers such as DC/DC converters and actuators. In addition, a small resin-molded insulation type package contribu

 7.2. Size:1279K  cn sps
 2sc4552t2tl.pdf pdf_icon

2SC4552M

2SC4552T2TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A) CE(sat) C B APPLICATIONS Designed for use as a driver in DC/DC converters and actuators. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL P

 7.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sc4552.pdf pdf_icon

2SC4552M

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4552 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 60V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 100(Min)@ (V = 2V, I = 3A) FE CE C Low Saturation Voltage- V = 0.3V(Max)@ (I = 8A, I = 0.4A) CE(sat) C B Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as a drive

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4467O, 2SC4467P, 2SC4467Y, 2SC4550K, 2SC4550L, 2SC4550M, 2SC4552K, 2SC4552L, NJW0281G, 2SC5197O, 2SC5197R, 2SC5198O, 2SC5198R, 2SC5200O, 2SC5200R, 2SC6104, 2SD1047D