2SD1047D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1047D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 210 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для 2SD1047D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1047D даташит

 ..1. Size:178K  cn sptech
 2sd1047d 2sd1047e.pdf pdf_icon

2SD1047D

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SD1047 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE High Current Capability Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB817 APPLICATIONS Recommend for 60W audio frequency amplifier output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

 7.1. Size:185K  st
 2sd1047.pdf pdf_icon

2SD1047D

2SD1047 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = 140 V Typical ft = 20 MHz Fully characterized at 125 oC Application Power supply 3 2 1 Description TO-3P The device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain line

 7.2. Size:30K  sanyo
 2sb817p 2sd1047p 2sd1047p.pdf pdf_icon

2SD1047D

Ordering number ENN6572 2SB817P / 2SD1047P 2SB817P PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SD1047P NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SB817P / 2SD1047P 140V / 12A, AF80W Output Applications Features Package Dimensions Capable of being mounted easily because of one- unit mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817P

 7.3. Size:125K  sanyo
 2sd1047 2sd1047e.pdf pdf_icon

2SD1047D

Ordering number 680F PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB817/2SD1047 140V/12A AF 60W Output Applications Features Package Dimensions Capable of being mounted easily because of one- unit mm point fixing type plastic molded package (Inter- 2022A changeable with TO-3). [2SB817/2SD1047] Wide ASO because of on-chip ballast re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4552M, 2SC5197O, 2SC5197R, 2SC5198O, 2SC5198R, 2SC5200O, 2SC5200R, 2SC6104, BC639, MJW0281A, MJW0302A, MJW0302G, MN1526O, MN1526P, MN1526R, MP1526O, MP1526P