Справочник транзисторов. MJW0302G

 

Биполярный транзистор MJW0302G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MJW0302G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: TO3PN

 Аналоги (замена) для MJW0302G

 

 

MJW0302G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:969K  cn sptech
mjw0302g.pdf

MJW0302G
MJW0302G

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power TransistorMJW0302GDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V =250V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type NJW0281GAPPLICATIONSDesigned for high fidelity audio amplifier andother linear applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

 7.1. Size:67K  onsemi
mjw0281a mjw0302a.pdf

MJW0302G
MJW0302G

MJW0281A (NPN)MJW0302A (PNP)Preferred DevicesComplementary NPN-PNPPower Bipolar TransistorsThese complementary devices are lower power versions of thepopular MJW3281A and MJW1302A audio output transistors. Withsuperior gain linearity and safe operating area performance, thesehttp://onsemi.comtransistors are ideal for high fidelity audio amplifier output stages andother linea

 7.2. Size:1718K  cn sps
mjw0302at4tl.pdf

MJW0302G
MJW0302G

MJW0302AT4TLDESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -250 VCBOV Collector-Emitter

 7.3. Size:862K  cn sptech
mjw0302a.pdf

MJW0302G
MJW0302G

SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon PNP Power Transistor MJW0302ADESCRIPTIONHigh DC current amplifier rateh 50-200@V = 5V,I = 1AFE: CE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power audio, disk head positioners and other linearapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP35C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top