STD888T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD888T4

Маркировка: D888

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для STD888T4

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STD888T4 даташит

 ..1. Size:185K  st
 std888t4.pdf pdf_icon

STD888T4

STD888T4 Medium Current, High Performance, Low Voltage PNP Transistor General features Very low Collector to Emitter saturation voltage D.C. Current gain, hFE >100 5A continuous collector current Surface mounting DPAK(TO-252) power package in tape & reel packing 3 In compliance with the 2002/93/EC European 1 Directive DPAK (TO-252) Description The device in

 8.1. Size:126K  st
 std888.pdf pdf_icon

STD888T4

STD888 HIGH CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR Ordering Code Marking STD888 D888 VERY LOW COLLECTOR TO EMITTER SATURATION VOLTAGE DC CURRENT GAIN, h > 100 FE 3 5 A CONTINUOUS COLLECTOR CURRENT 1 SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (Suffix "T4") DPAK APPLICATIONS TO-252 POWER MANAGEMENT IN PORTABLE (Suffix "T4") EQUIPMEN

 8.2. Size:126K  utc
 std888.pdf pdf_icon

STD888T4

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD STD888 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH CURRENT, HIGH PERFORMANCE, LOW VOLTAGE PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC STD888 is a high current, high performance, low voltage PNP transistor; it uses UTC s advanced technology to provide customers high DC current gain and very low saturation voltage. The UTC STD888 is suitable f

 8.3. Size:217K  inchange semiconductor
 std888.pdf pdf_icon

STD888T4

isc Silicon PNP Power Transistor STD888 DESCRIPTION Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= -0.7V(Max)( I = -5A; I = -0.25A) CE(sat C B DC Current Gain -h = 150(Min)@ I = -0.5A FE C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications Voltage regulation in bias supply circuits applications S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MJW0302G, MN1526O, MN1526P, MN1526R, MP1526O, MP1526P, MP1526R, ST13003-K, MJE350, STX616-AP, TIP31C-O, TIP31C-R, TIP31C-Y, TIP41C-O, TIP41C-R, TIP41C-Y, TIP42C-O