Биполярный транзистор 2SC3320T4TL - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3320T4TL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3PN
Аналоги (замена) для 2SC3320T4TL
2SC3320T4TL Datasheet (PDF)
2sc3320t4tl.pdf
2SC3320T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 500 V
2sc3320.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD 2SC3320 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING FEATURES * High voltage, high speed switching * High reliability ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC3320L-x-T3P-T 2SC3320L-x-T3P-T TO-3P B C E Tube2SC3320L-x-T3N-T 2SC3320L-x-T3N-T TO-3PN B C E T
2sc3320.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sc3320b.pdf
RoHS RoHS 2SC3320BSEMICONDUCTORNell High Power ProductsSilicon NPN triple diffusion planar transistor(High voltage switching transistor)15A/400V/150W15.60.44.80.29.62.00.13.20,1TO-3P(B)23+0.2+0.20.651.05-0.1-0.1FEATURES5.450.1 5.450.11.4High-speed switchingB C EHigh collector to base voltage, VCBOSatisfactory linearity of fow
2sc3320.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3320DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
2sc3320.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3320DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsUltrasonic generatorsHigh frequency invertersGeneral purpose power amplifiersABSOLUTE MAXI
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
