Биполярный транзистор 2SC3907T4TL - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC3907T4TL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 270 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO3PI
Аналоги (замена) для 2SC3907T4TL
2SC3907T4TL Datasheet (PDF)
2sc3907t4tl.pdf
2SC3907T4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base
2sc3907.pdf
2SC3907 NPN PLANAR SILICON TRANSISTORAUDIO POWER AMPLIFIERDC TO DC CONVERTER SC-65 High Current Capability High Power Dissipation Complementary to 2SA1516 ABSOLUTE MAXIMUM RATING (T =25)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 180 V Collector-Emitter Voltage VCEO 180 V Emitter-Base voltage VEBO 6 V Collector Current (DC) IC 12 A
2sc3907r 2sc3907o.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor 2SC3907DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516APPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAME
2sc3907.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3907DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applications
2sc3907s.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3907SDESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 180V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SA1516SMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 80W high fidelity audio frequencyamplifier output stage applicatio
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
