BU406DT9TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BU406DT9TL

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BU406DT9TL

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BU406DT9TL даташит

 ..1. Size:1553K  cn sps
bu406dt9tl.pdfpdf_icon

BU406DT9TL

BU406DT9TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 400 V CBO V Collector-Emitter Voltage 200 V CEO P

 8.1. Size:66K  st
bu406d bu407d.pdfpdf_icon

BU406DT9TL

BU406D BU407D SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES NPN TRANSISTOR VERY HIGH SWITCHING SPEED APPLICATIONS HORIZONTAL DEFLECTION FOR MONOCHROME TV 3 2 1 TO-220 DESCRIPTION The BU406D and BU407D are silicon planar epitaxial NPN transistors with integrated damper diode, in Jedec TO-220 plastic package. They are fast switching, devices for us

 8.2. Size:584K  cn sptech
bu406d.pdfpdf_icon

BU406DT9TL

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU406D DESCRIPTION High Voltage V = 400V(Min) CEV Low Saturation Voltage- V = 1.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection output stages of TV s and CRT s ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 400 V CBO V Collect

 8.3. Size:61K  inchange semiconductor
bu406d bu407d.pdfpdf_icon

BU406DT9TL

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BU406D BU407D DESCRIPTION With TO-220C package High voltage Fast switching speed Low saturation voltage Built-in damper diode APPLICATIONS For use in horizontal deflection output stages of TV s and CTV s circuits PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 moun

Другие транзисторы: 2SC4110T4TL, 2SC4131T5TL, 2SC4237T8TL, 2SC4552T2TL, 2SC5027T1TL, 2SC5198T7TL, 2SC5200T7TL, 2SC5570T7TL, A1941, BU406T1TL, BU508AT4TL, BU941PT4TL, BU941TT1TL, FJL6920T7TL, MJW0281AT4TL, MJW0302AT4TL, MJW3281AT4TL