BU941PT4TL. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BU941PT4TL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 155 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: TO3PN
Аналоги (замена) для BU941PT4TL
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BU941PT4TL даташит
bu941pt4tl.pdf
BU941PT4TL Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION High Voltage DARLINGTON APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TB B=25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VB B Collector-Base Voltage 500 V CBO VB B Collector-Emitter Voltage 400 V CEO VB B Emitter-Base Voltage 5 V EBO IB B Collector Current- Continu
bu941p.pdf
BU941/BU941P BU941PFI HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE TO-3 VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY HIGH OPERATING JUNCTION 1 TEMPERATURE 2 WIDE RANGE OF PACKAGES APPLICATIONS HIGH RUGGEDNESS ELECTRONIC IGNITIONS 3 3 2 2 1 1 TO-218 ISOWATT218 INTERNAL SCHEMA
bu941p.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BU941P DESCRIPTION With TO-3PN package DARLINGTON High breakdown voltage APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions. High voltage ignition coil driver PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Abso
bu941p.pdf
SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistor BU941P DESCRIPTION High Voltage DARLINGTON APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions High voltage ignition coil driver ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TB B=25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VB B Collector-Base Voltage 500 V CBO VB B Collector-Emitter Voltage 400 V CEO VB B Emitter-Base Voltage 5 V EBO
Другие транзисторы: 2SC4552T2TL, 2SC5027T1TL, 2SC5198T7TL, 2SC5200T7TL, 2SC5570T7TL, BU406DT9TL, BU406T1TL, BU508AT4TL, 2SD718, BU941TT1TL, FJL6920T7TL, MJW0281AT4TL, MJW0302AT4TL, MJW3281AT4TL, NJW0281GT4TL, NJW0302GT4TL, NJW1302GT4TL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor




