Биполярный транзистор BU941PT4TL - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BU941PT4TL
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 155 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: TO3PN
Аналоги (замена) для BU941PT4TL
BU941PT4TL Datasheet (PDF)
bu941pt4tl.pdf
BU941PT4TLSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONHigh VoltageDARLINGTONAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TB B=25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITVB B Collector-Base Voltage 500 VCBOVB B Collector-Emitter Voltage 400 VCEOVB B Emitter-Base Voltage 5 VEBOIB B Collector Current- Continu
bu941p.pdf
BU941/BU941PBU941PFIHIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVERNPN POWER DARLINGTON SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE NPN DARLINGTON INTEGRATED ANTIPARALLELCOLLECTOR-EMITTER DIODETO-3 VERY RUGGED BIPOLAR TECHNOLOGY HIGH OPERATING JUNCTION1TEMPERATURE2 WIDE RANGE OF PACKAGESAPPLICATIONS HIGH RUGGEDNESS ELECTRONICIGNITIONS33221 1TO-218 ISOWATT218INTERNAL SCHEMA
bu941p.pdf
Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BU941P DESCRIPTION With TO-3PN package DARLINGTON High breakdown voltage APPLICATIONS High ruggedness electronic ignitions. High voltage ignition coil driver PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbso
bu941p.pdf
SPTECH Product SpecificationSPTECH Silicon NPN Power Transistor BU941PDESCRIPTIONHigh VoltageDARLINGTONAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TB B=25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITVB B Collector-Base Voltage 500 VCBOVB B Collector-Emitter Voltage 400 VCEOVB B Emitter-Base Voltage 5 VEBO
bu941p.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BU941PDESCRIPTIONHigh VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh ruggedness electronic ignitionsHigh voltage ignition coil driverABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TB B=25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITVB B Collector-Base Voltage 500 VCBOVB B Collector-Emitter Voltage 400 V
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
