CD568B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CD568B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 55

Корпус транзистора: TO220C

 Аналоги (замена) для CD568B

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CD568B даташит

 ..1. Size:252K  inchange semiconductor
 cd568b.pdf pdf_icon

CD568B

isc Silicon PNP Power Transistor CD568B DESCRIPTION Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -200 V CBO V Collector-Emitter Voltage -150 V CEO V Emitter-Base Voltage -6 V EBO I Collector Current-Continuous -1 A C Collector Power Dissipation P 1.8 W

Другие транзисторы: MJW0302AT4TL, MJW3281AT4TL, NJW0281GT4TL, NJW0302GT4TL, NJW1302GT4TL, NJW3281GT4TL, TIP35CT4TL, TIP36CT4TL, A940, ISCE1938P, ISCN440P, ISCND436D, 2SC2222H, BC807-16W-AU, BC807-25W-AU, BC807-40W-AU, BC817-16-AU