Биполярный транзистор CD568B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CD568B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55
Корпус транзистора: TO220C
CD568B Datasheet (PDF)
..1. Size:252K inchange semiconductor
cd568b.pdf
cd568b.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor CD568BDESCRIPTIONMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -200 VCBOV Collector-Emitter Voltage -150 VCEOV Emitter-Base Voltage -6 VEBOI Collector Current-Continuous -1 ACCollector Power DissipationP 1.8 W
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050