ISCE1938P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISCE1938P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для ISCE1938P

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ISCE1938P даташит

 ..1. Size:255K  inchange semiconductor
 isce1938p.pdf pdf_icon

ISCE1938P

isc Silicon PNP Power Transistor ISCE1938P DESCRIPTION High Collector Current -I = -3A C High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -30V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Low Saturation Voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in the output stage of 3 watts audio amp- lifier, voltage

Другие транзисторы: MJW3281AT4TL, NJW0281GT4TL, NJW0302GT4TL, NJW1302GT4TL, NJW3281GT4TL, TIP35CT4TL, TIP36CT4TL, CD568B, B772, ISCN440P, ISCND436D, 2SC2222H, BC807-16W-AU, BC807-25W-AU, BC807-40W-AU, BC817-16-AU, BC817-25-AU