MMBT8050C-1.5A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBT8050C-1.5A

Маркировка: X1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBT8050C-1.5A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT8050C-1.5A даташит

 ..1. Size:1986K  pjsemi
 mmbt8050c-1.5a mmbt8050d-1.5a.pdf pdf_icon

MMBT8050C-1.5A

MMBT8050-1.5A NPN Transistor Features SOT-23 For Switching and AF Amplifer Applications. Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector 3.Collector Marking Code MMBT8050C-1.5A X1 MMBT8050D-1.5A Y1 1.Base 2. Emitter . Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V 40

 5.1. Size:229K  semtech
 mmbt8050c mmbt8050d.pdf pdf_icon

MMBT8050C-1.5A

 5.2. Size:373K  semtech
 mmbt8050cw mmbt8050dw.pdf pdf_icon

MMBT8050C-1.5A

MMBT8050W (1.5A) NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Peak Collector Current ICM 1.5 A Total Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperature Tj 150 C O Storage Te

 5.3. Size:488K  agertech
 mmbt8050c mmbt8050d.pdf pdf_icon

MMBT8050C-1.5A

MMBT8050C/D(1.5A) Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and low power output stages Absolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1.5 A Power Dissipation PD 350 mW

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD882SQ-Q, 2SD882SQ-R, 2SD965ASQ-Q, 2SD965ASQ-R, 2SD965ASQ-S, BCX53SQ-10, BCX53SQ-16, MMBT8050-C, S8050, MMBT8050-D, MMBT8050D-1.5A, MMBT8550-C, MMBT8550-D, MMBT9012G, MMBT9012H, MMBT9013-G, MMBT9013-H