Справочник транзисторов. MMBT8050C-1.5A

 

Биполярный транзистор MMBT8050C-1.5A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT8050C-1.5A
   Маркировка: X1
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBT8050C-1.5A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT8050C-1.5A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1986K  pjsemi
mmbt8050c-1.5a mmbt8050d-1.5a.pdfpdf_icon

MMBT8050C-1.5A

MMBT8050-1.5A NPN Transistor Features SOT-23 For Switching and AF Amplifer Applications.Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector3.CollectorMarking Code : MMBT8050C-1.5A : X1 MMBT8050D-1.5A : Y11.Base2. Emitter.Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage V 40

 5.1. Size:229K  semtech
mmbt8050c mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050C-1.5A

 5.2. Size:373K  semtech
mmbt8050cw mmbt8050dw.pdfpdf_icon

MMBT8050C-1.5A

MMBT8050W (1.5A) NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VPeak Collector Current ICM 1.5 A Total Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C OStorage Te

 5.3. Size:488K  agertech
mmbt8050c mmbt8050d.pdfpdf_icon

MMBT8050C-1.5A

MMBT8050C/D(1.5A)Features For switching and amplifier applications Especially suitable for AF-Driver stages and lowpower output stagesAbsolute maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 1.5 APower Dissipation PD 350 mW

Другие транзисторы... 2SD882SQ-Q , 2SD882SQ-R , 2SD965ASQ-Q , 2SD965ASQ-R , 2SD965ASQ-S , BCX53SQ-10 , BCX53SQ-16 , MMBT8050-C , BD140 , MMBT8050-D , MMBT8050D-1.5A , MMBT8550-C , MMBT8550-D , MMBT9012G , MMBT9012H , MMBT9013-G , MMBT9013-H .

 

 
Back to Top

 


 
.