Справочник транзисторов. MMBTSC3875-Y

 

Биполярный транзистор MMBTSC3875-Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBTSC3875-Y
   Маркировка: ALY
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для MMBTSC3875-Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTSC3875-Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  pjsemi
mmbtsc3875-o mmbtsc3875-y mmbtsc3875-g mmbtsc3875-l.pdfpdf_icon

MMBTSC3875-Y

MMBTSC3875NPN Transistor Features For Switching and AF Amplifier Applications.SOT-23 As Complementary Type of the PNP Transistor (TO-236) MMBTSA1504 is Recommended.1.Base 2.Emitter 3.CollectorMarking:MMBTSC3875O:ALOMMBTSC3875Y:ALYMMBTSC3875G:ALGMMBTSC3875L:ALLAbsolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter

 7.1. Size:207K  semtech
mmbtsc3356q mmbtsc3356r mmbtsc3356s.pdfpdf_icon

MMBTSC3875-Y

MMBTSC3356 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for microwave low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band The transistor is subdivided into three groups, Q, R and S, according to its DC current gain. SOT-23 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 20 VCollector Emitter Voltage VCEO 12 VEmitter Base V

 7.2. Size:203K  cn cbi
mmbtsc3356.pdfpdf_icon

MMBTSC3875-Y

MMBTSC3356 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistorfor microwave low noise amplifier at VHF,UHF and CATV bandThe transistor is subdivided into threegroups, Q, R and S, according to its DCcurrent gain.1.Base 2.Emitter 3.CollectorHFE MARKINGSOT-23 Plastic PackageQ R23R R24S R25OAbsolute Maximum Ratings (T = 25 C)aParameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCB

 8.1. Size:282K  semtech
mmbtsc4098w.pdfpdf_icon

MMBTSC3875-Y

MMBTSC4098W NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for AM/FM amplifier and local oscillator of FM/VHF tuner applications. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 50 mA Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C

Другие транзисторы... MMBT9015-D , MMBTSC1623-L4 , MMBTSC1623-L5 , MMBTSC1623-L6 , MMBTSC1623-L7 , MMBTSC3875-G , MMBTSC3875-L , MMBTSC3875-O , 2SC4793 , MMBTSC945-H , MMBTSC945-L , MMDT2907ASG , MMDT3904SG , MMDT3906SG , MMBT3904H , MMBT3906H , 2SA1163BL .

History: MT3S22P

 

 
Back to Top

 


 
.