2SA1213Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1213Y

Маркировка: NY

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC62

 Аналоги (замена) для 2SA1213Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1213Y даташит

 ..1. Size:195K  toshiba
2sa1213o 2sa1213y.pdfpdf_icon

2SA1213Y

2SA1213 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1213 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = -0.5 V (max) (IC = -1 A) High speed switching time tstg = 1.0 s (typ.) Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on a ceramic substrate) Complementary to 2SC2873 Absolut

 0.1. Size:143K  comchip
2sa1213y-g.pdfpdf_icon

2SA1213Y

General Purpose Transistor 2SA1213-G Series (PNP) RoHS Device Features 1 Base -Small flat package. 2 Collector SOT-89-3L 3 Emitter -Power amplifier and switching -applications. 0.181(4.60) 0.173(4.40) -Low saturation voltage. 0.061(1.55) REF. -High speed switching time. 0.102(2.60) 0.167(4.25) 0.091(2.30) 0.155(3.94) 1 2 3 Maximum Ratings (at TA=25 C unless other

 7.1. Size:223K  toshiba
2sa1213.pdfpdf_icon

2SA1213Y

2SA1213 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1213 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low saturation voltage VCE (sat) = -0.5 V (max) (I C = -1 A) High speed switching time t = 1.0 s (typ.) stg Small flat package PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) Complementary to 2SC2873 Max

 7.2. Size:999K  mcc
2sa1213-o 2sa1213-y.pdfpdf_icon

2SA1213Y

2SA1213-O/2SA1213-Y Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified Parameter Symbol Min Typ Max Units Conditions V(BR)CBO -50 IC=-100 A, IE=0 Collector-Base Breakdown Voltage V V(BR)CEO -50 IC=-10mA, IB=0 Collector-Emitter Breakdown Voltag V V(BR)EBO -5 IE=-100 A, IC=0 Emitter-Base Breakdown Voltage V ICBO VCB=-50V, IE=0 Collector-Base Cutoff Current -0.1 A IEB

Другие транзисторы: MMDT2907ASG, MMDT3904SG, MMDT3906SG, MMBT3904H, MMBT3906H, 2SA1163BL, 2SA1163GR, 2SA1213O, BC546, 2SA1362GR, 2SA1586-GR, 2SA1586-O, 2SA1586-Y, 2SA1587BL, 2SA1587GR, 2SA1588-GR, 2SA1588-O