Справочник транзисторов. 2SC2713-GR

 

Биполярный транзистор 2SC2713-GR - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC2713-GR
   Маркировка: DG
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SC59

 Аналоги (замена) для 2SC2713-GR

 

 

2SC2713-GR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:361K  toshiba
2sc2713-gr 2sc2713-bl.pdf

2SC2713-GR 2SC2713-GR

2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage: V = 120 V CEO Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200 to 700 FE: FE Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small pack

 7.1. Size:8306K  toshiba
2sc2713gr 2sc2713bl.pdf

2SC2713-GR 2SC2713-GR

 7.2. Size:327K  toshiba
2sc2713.pdf

2SC2713-GR 2SC2713-GR

2SC2713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC2713 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm High voltage: VCEO = 120 V Excellent h linearity: h (I = 0.1 mA)/h (I = 2 mA) = 0.95 (typ.) FE FE C FE C High h h = 200~700 FE: FE Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Complementary to 2SA1163 Small package

 7.3. Size:1438K  kexin
2sc2713.pdf

2SC2713-GR 2SC2713-GR

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC2713SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features 3 High voltage: VCEO = 120 V High hFE: hFE = 200~700 Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) 1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01 Small package1.9+0.1-0.1 Complementary to 2SA11631.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top