2SC5084O. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SC5084O
Маркировка: MCO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: SC59
Аналоги (замена) для 2SC5084O
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5084O даташит
2sc5084o 2sc5084y.pdf
2SC5084 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5084 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, S21e 2 = 11dB (f = 1 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base
2sc5084.pdf
2SC5084 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5084 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, S 2 = 11dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3 V B
2sc5084.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC5084 SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=80mA 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=12V +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Colle
2sc5084.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor 2SC5084 DESCRIPTION High Gain Bandwidth Product f = 7 GHz TYP. T High Gain, Low Noise Figure S 2 = 11 dB TYP., NF = 1.1 dB TYP @ f = 1 GHz 21e 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for VHF UHF band low noise amplifier applicat
Другие транзисторы: 2SC3138-O, 2SC3138-Y, 2SC4117BL, 2SC4117GR, 2SC4213-A, 2SC4213-B, 2SC5066O, 2SC5066Y, D965, 2SC5084Y, 2SC6026MFV-GR, 2SC6026MFV-Y, HN1A01FE-GR, HN1A01FE-Y, HN1B04FE-GR, HN1B04FE-Y, 2N25550
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики



