Биполярный транзистор 2SC5084O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5084O
Маркировка: MCO
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: SC59
2SC5084O Datasheet (PDF)
2sc5084o 2sc5084y.pdf
2SC5084 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5084 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, |S21e|2 = 11dB (f = 1 GHz) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 12 VEmitter-base voltage VEBO 3 VBase
2sc5084.pdf
2SC5084 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5084 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure, high gain. NF = 1.1dB, |S |2 = 11dB (f = 1 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 12 VEmitter-base voltage VEBO 3 VB
2sc5084.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5084SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=80mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=12V+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 20 Colle
2sc5084.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC5084DESCRIPTIONHigh Gain Bandwidth Productf = 7 GHz TYP.THigh Gain, Low Noise FigureS 2 = 11 dB TYP., NF = 1.1 dB TYP @ f = 1 GHz21e100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for VHF~UHF band low noise amplifier applicat
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: BD236-16
History: BD236-16
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050