Справочник транзисторов. HN1A01FE-GR

 

Биполярный транзистор HN1A01FE-GR Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: HN1A01FE-GR
   Маркировка: D1G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: ES6
 

 Аналог (замена) для HN1A01FE-GR

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HN1A01FE-GR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  toshiba
 hn1a01fe-y hn1a01fe-gr.pdf pdf_icon

HN1A01FE-GR

HN1A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE: hFE = 120 to 400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 6.1. Size:174K  toshiba
 hn1a01fe.pdf pdf_icon

HN1A01FE-GR

HN1A01FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FE Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current : VCEO = -50V, IC = -150mA (max) High hFE: hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

 7.1. Size:228K  toshiba
 hn1a01f.pdf pdf_icon

HN1A01FE-GR

HN1A01F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01F Unit: mmAudio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Small package (dual type) High voltage and high current : VCEO = -50 V, IC = -150 mA (max) High hFE: hFE = 120~400 Excellent hFE linearity : hFE (IC = -0.1 mA) / hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 7.2. Size:242K  toshiba
 hn1a01fu.pdf pdf_icon

HN1A01FE-GR

HN1A01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) HN1A01FU Unit: mmAudio Frequency General Purpose Amplifier Applications Small package (Dual type) High voltage and high current : V =-50V, I =-150mA (max) CEO C High h : h = 120~400 FE FE Excellent h linearity FE: h (I =-0.1mA) / h (I =-2mA) = 0.95 (typ.) FE C FE CAbsolute Maximum Ratings

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC4213-A , 2SC4213-B , 2SC5066O , 2SC5066Y , 2SC5084O , 2SC5084Y , 2SC6026MFV-GR , 2SC6026MFV-Y , D882P , HN1A01FE-Y , HN1B04FE-GR , HN1B04FE-Y , 2N25550 , 2N25551 , 2SA1015G , 2SA1015O , 2SA1015Y .

History: 2SC6026MFV-GR

 

 
Back to Top

 


 
.